монокристаллический
21ЭЛЕМЕНТАРНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ — (простые полупроводники), химические элементы, простые вещества которых проявляют полупроводниковые свойства (см. ПОЛУПРОВОДНИКИ). Полупроводниковые свойства проявляют 12 химических элементов, находящихся в средней части Периодической системы Д.… …
22монокристальный — монокристаллический, однокристальный Словарь русских синонимов. монокристальный прил., кол во синонимов: 2 • монокристаллический (2) • …
23однокристальный — монокристаллический, монокристальный Словарь русских синонимов. однокристальный прил., кол во синонимов: 2 • монокристаллический (2) • …
2477.120.99 — Інші кольорові метали та їх сплави ГОСТ 1089 82 Сурьма. Технические условия. Взамен ГОСТ 1089 73 ГОСТ 1367.0 83 Сурьма. Общие требования к методам анализа. Взамен ГОСТ 1367.0 76 ГОСТ 1367.1 83 Сурьма. Спектральный метод определения примесей без… …
25МАГНИТНАЯ ТОНКАЯ ПЛЕНКА — тонкий (0,01 10 мкм) поли или монокристаллический слой металла, сплава или оксида, обладающий магнитными свойствами; металлическую магнитную тонкую пленку получают вакуумным напылением или электролитическим осаждением металла на подложку,… …
26Зонная плавка — зонная перекристаллизация, кристаллофизический метод рафинирования материалов, который состоит в перемещении узкой расплавленной зоны вдоль длинного твёрдого стержня из рафинируемого материала. З. п. можно подвергать почти все технически… …
27Кремний — (лат. Silicium) Si, химический элемент IV группы периодической системы Менделеева; атомный номер 14, атомная масса 28,086. В природе элемент представлен тремя стабильными изотопами: 28Si (92,27%), 29Si (4,68%) и 30Si (3,05%). … …
28Магнитная тонкая плёнка — поли или монокристаллический слой ферромагнитного металла, сплава или магнитного окисла (феррита и др.) толщиной от 0,01 до 10 мкм. М. т. п. находит применение в качестве запоминающих элементов в вычислительной технике (см. Запоминающее… …
29Микроэлектроника — область электроники (См. Электроника), занимающаяся созданием электронных функциональных узлов, блоков и устройств в микроминиатюрном интегральном исполнении. Возникновение М. в начале 60 х гг. 20 в. было вызвано непрерывным усложнением… …
30Электронно-дырочный переход — (p n переход) область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости (от электронной n к дырочной p). Поскольку в р области Э. д. п. концентрация дырок гораздо выше, чем в n области, дырки из n области… …
