легированный
111Термометрия — (от термо (См. Термо...)... и... метрия (См. …метрия) раздел прикладной физики, посвященный разработке методов и средств измерения температуры. Т. является также разделом метрологии (См. Метрология), в её задачи входит обеспечение… …
112Фоторезистор — полупроводниковый прибор, характеризующийся свойством изменять своё электрическое сопротивление под действием оптического излучения (см. Фотопроводимость). Через Ф., включенный в электрическую цепь, содержащую источник постоянного тока,… …
113Электрокорунд — искусственный абразивный материал, в состав которого входят преимущественно закристаллизованный глинозём (Алюминия окись) в форме α фазы (Корунда), а также окислы кремния, титана, кальция и железа. Получают плавкой глинозёмсодержащего… …
114Психо́з — (psychosis: Псих + оз) болезненное расстройство психики, проявляющееся целиком или преимущественно неадекватным отражением реального мира с нарушением поведения, изменением различных сторон психической деятельности, обычно с возникновением не… …
115МЕТАЛЛОВЕДЕНИЕ ФИЗИЧЕСКОЕ — применение физических принципов и экспериментальных методов для изучения и целенаправленного улучшения характеристик металлов и сплавов. Среди экспериментальных методов, применяемых к металлам и сплавам, ведущим является микроскопия.… …
116ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ — электронные компоненты, изготовленные в основном из полупроводниковых материалов (см. ниже). К числу таких компонентов относятся транзисторы, интегральные схемы, оптоэлектронные приборы, сверхвысокочастотные (СВЧ) приборы и выпрямители.… …
117ТРАНЗИСТОР — полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического тока и управления им. Транзисторы выпускаются в виде дискретных компонентов в индивидуальных корпусах или в виде активных элементов т.н. интегральных схем, где их размеры не… …
118АМОРФНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ — аморфные в ва, обладающие св вами полупроводников. Различают ковалентные А. п. (Ge и Si, GaAs и др. в аморфном состоянии), халькогенидные стёкла (напр., As31 Ge30 Se21 Te18), оксидные стёкла (напр., V2O5 P2O5) и диэлектрич. плёнки (SiOx, Аl2O3,… …
119КРЕМНИЙ — (Si), синтетич. монокристалл, полупроводник. Точечная группа симметрии m3m, плотность 2,33 г/см3, Tпл=1417°С. Твёрдость по шкале Мооса 7, хрупок, заметная пластич. деформация начинается при T>800°С. Теплопроводен, температурный коэфф. линейного… …
120КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ — неравновесные электронные явления, возникающие при прохождении электрич. тока через контакт полупроводника с металлом или электролитом или через контакт двух различных полупроводников (гетеропереход )либо через границу двух областей одного и того …
